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科技新聞

第三代半導體材料應用廣,被動元件新一波商機

文字:[大][中][小] 2020-10-23    瀏覽次數:645    

  第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC),因擁有小尺寸、耐高溫、耐高壓等特性,將帶動電源、工業、電動車等應用邁向下一個新時代,被動元件業者普遍看好,中高壓、高容值被動元件需求可望跟進成長趨勢,需求同步放大。

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  氮化鎵應用包括 5G 基地臺與手機、電源、電動車等三大領域,碳化矽相較氮化鎵,更耐高溫、耐高壓,較適合應用於嚴苛的環境,應用包括不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。

  被動元件業者分析,第三代半導體材料發展勢必同步帶動大功率被動元件需求,以氮化鎵為例,由於氮化鎵 Mosfet 具有小巧、高效、發熱低等特點,電源內部設計空間因此增加,原本尺寸小的電解電容及 Disc 安規電容,皆將轉換為大尺寸 MLCC.

  研調機構分析資料顯示,氮化鎵市場規模從今年到 2022 年,年復合成長率 (CAGR) 高達 60%;碳化矽到 2022 年的年復合成長率也高達 40%,也可望帶動大尺寸、高功率的被動元件需求隨之增加。

  此外,目前不論蘋果或是中系手機業者,都朝快充領域發展,業者認為,預計到 2022 年,快充可望普及化,對中壓高容的 MLCC 需求大幅提升;另外,電動車充電則是特高壓應用,兩者都是未來趨勢。

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